本发明提供了一种高压ESD器件版图结构以及包含该版图结构的芯片。该高压ESD器件版图结构包括：半导体衬底，其具有高压阱区；器件栅氧区，其限定该半导体衬底的有源区；漂移区，其形成在该器件有源区的外围；杂质区，其形成在漂移区的下方，但小于有源区宽度；源极，漏极配置在杂质区中；器件栅区，位于有源区的上方；场板区，位于漂移区的上方；其中，器件栅区及有源区宽度伸出杂质区。