该发明属于一种表面等离子体半导体纳米线激光器，包括基片，金属薄膜层，绝缘介质层及在该绝缘介质层中开设的空气槽，嵌于空气槽上口部且其下柱面与作为槽底的金属薄膜之间还设有一含空气的间隙的纳米线。该发明采用纳米线/空气/金属薄膜/基片结构组成的表面等离子体激光器，其电场强度变化范围为0.4×10⁹-3×10⁹V/m，半导体纳米线增益阈值范围为2-5/μm。因而该发明具有体积小、结构及加工工艺简单、可靠性高，可利用空气间隙产生激光，提高了电场增强效应及与各类光波导及器件的兼容性，且电场强度高、阈值低，并可满足小型化、集成化的需求等特点。