一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有源区和包围所述有源区的浅沟槽隔离结构；在所述有源区表面形成栅极结构，在所述浅沟槽隔离结构表面形成伪栅结构；在所述栅极结构两侧的有源区内形成源区和漏区；在所述源区表面、漏区表面、伪栅结构的至少部分顶部表面形成互连层，使得所述源区或漏区与伪栅结构电学连接。由于导电插塞不直接形成在所述源区、漏区的表面，使得源区、漏区暴露出的宽度可以较窄，而所述伪栅结构位于浅沟槽隔离结构表面，不占据额外的芯片面积，使得最终形成MOS晶体管所占的芯片面积较小，有利于提高芯片集成度。