本发明提出一种无结型纵向隧穿场效应晶体管，包括：源区、漏区、沟道区、控制栅和辅助栅，其中，源区、漏区和沟道区构成一个整体，采用同一种掺杂类型半导体材料，从源区至沟道至漏区掺杂浓度相同，控制栅和辅助栅分别位于沟道两侧并且二者至少有一部分相对，其中控制栅用于控制器件的导通与关闭，辅助栅用于使辅助栅的下方的半导体区域发生反型。本发明的无结型纵向隧穿场效应晶体管仅一种掺杂类型，不需要制作PN结，降低了工艺难度；更有利于器件尺寸的缩小，抑制短沟道效应，增大开关电流比；可以通过控制栅与辅助栅之间的距离区域进一步减小关态漏电，改善亚阈值斜率等特性；通过控制半导体薄膜的厚度可以有效降低隧穿长度，增大隧穿电流。