本发明涉及一种高性能薄膜晶体管，以非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳原子和氧化物中的金属阳离子摩尔比在0-25%之间。通过对氧化物组分的调制，实现了对阈值电压从-10V到6V的连续调控。该高性能薄膜晶体管的制备方法是：将碳纳米管和氧化锌镁进行复合，得到非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜，并以此为半导体沟道层，经过晶体管制造工艺得到高性能透明复合薄膜场效应晶体管。制备方法工艺简单，对条件要求低，可控程度高，成本低廉。