本发明是用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法，其工艺包括：一、制成密集台阶结构；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上形成一层金属膜；四、在半导体材料上涂覆粘附剂、树脂层；五、树脂层进行加热固化；六、处理半导体材料上的树脂层，露出台阶上表面及部分台阶侧壁金属层；七、去除半导体材料台阶上表面及部分台阶侧壁露出的金属膜；八、进行去树脂层。优点：解决了通过普通光刻方式无法实现的台阶底部及部分台阶侧壁金属层完好覆盖的问题，通过自对准方式保证了台阶上表面及部分台阶侧壁金属层的露出及去除，保证了密集台阶结构的槽底部区域金属层的完好覆盖。