一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤。于基板上依序形成第一导电层、栅极介电层、半导体层、蚀刻阻挡层与第一图案化光刻胶。进行第一蚀刻制程，将未被第一图案化光刻胶覆盖的蚀刻阻挡层与半导体层移除。进行第二蚀刻工艺，以形成图案化栅极介电层与图案化蚀刻阻挡层。将未被图案化栅极介电层覆盖之第一导电层移除，以形成栅极电极。将未被图案化蚀刻阻挡层覆盖的半导体层移除，以形成图案化半导体层，并部分暴露出图案化栅极介电层。