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太阳能电池及其制作方法
编号:S000019979 刷新日期: 有效日期至:2020-09-26 浏览:2265 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种太阳能电池及其制作方法,该太阳能电池包括设于半导体基底第一表面的掺杂层、设于半导体基底第二表面的第一区的掺杂多晶硅层、设于半导体基底第二表面的第二区的掺杂区、以及覆盖掺杂多晶硅层与掺杂区表面的绝缘层。绝缘层暴露了部分掺杂多晶硅层与部分掺杂区,使掺杂多晶硅层与掺杂区经由绝缘层的开口分别连接于第一电极与第二电极。半导体基底与掺杂层具有第一掺杂类型,掺杂多晶硅层与掺杂区之其中一者具有第二掺杂类型,其中另一者则具有第一掺杂类型,且第二掺杂类型相反于第一掺杂类型。本发明可以提高太阳能电池的光电转换效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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