本发明公开了一种沟槽栅的形成方法，包括步骤：在半导体衬底上形成第一介质层。形成多晶硅层。形成第二介质层。进行光刻刻蚀在沟槽栅区域形成多晶硅栅。进行多晶硅退火。淀积第三介质层。对第三介质层进行选择性刻蚀。进行选择性外延生长，在沟槽栅区域外的半导体衬底上形成半导体外延层，多晶硅栅的凹陷于半导体外延层中的部分组成沟槽栅。去除多晶硅栅顶部的第二介质层。本发明能消除沟槽栅中的空洞，能降低沟槽栅中的多晶硅的应力。