本发明提供一种接触孔的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一介质层、第二介质层、第三介质层；进行刻蚀工艺，在所述第一介质层、第二介质层和第三介质层内形成第一接触孔，所述第一接触孔露出半导体衬底；去除所述第三介质层；在所述第二介质层上形成第四介质层，所述第四介质层填充所述第一接触孔；形成贯穿所述第四介质层、第二介质层和第一介质层的第二接触孔，所述第二接触孔露出半导体衬底；去除所述第四介质层。本发明提高了接触孔的制作工艺的稳定性。