一种半导体器件包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的低K介电层。低K介电层的第一部分包括介电材料，并且低K介电层的第二部分包括气隙，其中，第一部分和第二部分彼此横向设置。还公开了形成低K介电层的一种方法，包括：在半导体衬底上方形成介电层；形成多个气隙，多个气隙在介电层中彼此横向设置；以及在介电层和气隙上方形成覆盖层。本发明还提供了部分气隙低K沉积的集成技术。