一种CMOS管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和与之相隔的第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面具有第一伪栅极结构，所述第二区域的半导体衬底表面具有第二伪栅极结构；在所述第一伪栅极结构表面形成第一无定型硅层；形成层间介质层，所述层间介质层暴露出第一无定型硅层和第二伪栅极结构表面；待形成层间介质层后，采用湿法刻蚀工艺去除所述第二伪栅极结构，形成第二开口；在所述第二开口内形成第二栅极结构；去除第一伪栅极结构和第一无定型硅层，形成第一开口；在所述第一开口内形成第一栅极结构。形成的CMOS管的性能稳定。