本发明提供了一种低K介质阻挡层及其形成方法，在形成低K介质阻挡层之前，先利用预处理气体对衬底进行等离子体工艺预处理，所述预处理气体包括：碳氢气体及惰性气体，由此，可在衬底(即在低K介质层)表面形成一层含碳(C)保护膜，以避免后续形成低K介质阻挡层时对低K介质层的损伤。此外，由于利用了预处理气体对衬底进行等离子体工艺预处理，在形成低K介质阻挡层时，器件将处于充满预处理气体的氛围中，此时，即使产生氧离子，也将在一定程度上对氧离子进行稀释，即避免了氧离子对于低K介质层的损伤。最终，提高了半导体工艺的可靠性及所形成的器件的质量。