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> 技术详情
一种发光二极管外延片
编号:S000019946
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-05
浏览:
2439
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 湖北
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种发光二极管外延片,所述外延片包括衬底、依次覆盖在所述衬底上第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层,所述第一半导体层包括N型GaN层,所述第二半导体层包括P型GaN层,所述电子阻挡层为单层的P-In
x
Al
y
Ga
1-x-y
N(0≤X<1,0<Y<1)或P-In
x
Al
y
Ga
1-x-y
N/P-GaN(0≤X<1,0<Y<1)超晶格。本发明通过在靠近有源层时电子阻挡层中Al的成分非常小,从而降低晶格失配,避免了不必要的电子与空穴的复合现象;而在靠近P型层时,势垒高度逐渐降低,减小了空穴注入的难度,从而改善了电子和空穴的复合效率,提升发光二极管的发光效率。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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