本发明涉及存储器装置，其展示为包含主体区域及连接区域，所述连接区域由具有低于所述主体区域的带隙的半导体形成。连接区域配置可在擦除操作期间提供增加的栅极诱发的漏极泄漏。所展示的配置可将可靠偏压提供到主体区域以用于例如擦除的存储器操作，且在升压操作期间使电荷容纳在所述主体区域中。