本发明公开了一种场截止型绝缘栅双极晶体管，包括金属氧化物半导体场效应晶体管、N型轻掺杂基区、N+型缓冲层、背面P型掺杂区，还包括一附加N型轻掺杂区；金属氧化物半导体场效应晶体管的下面为N型轻掺杂基区，N型轻掺杂基区的下面为N+型缓冲层，附加N型轻掺杂区，位于N+型缓冲层及背面P型掺杂区之间；N型轻掺杂基区的N型掺杂浓度小于附加N型轻掺杂区的N型掺杂浓度小于N+型缓冲层的N型掺杂浓度。本发明还公开了该种场截止型绝缘栅双极晶体管的两种制造方法。本发明能提高使场截止型绝缘栅双极晶体管的发射效率。