本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的半导体外延层、位于半导体外延层上的透明导电层、以及位于透明导电层上的P电极和半导体外延层上的N电极，所述半导体外延层和衬底全部或部分侧壁设置为连续的斜面。本发明在不增加芯片整体尺寸的情况下，通过设计改进，增加了芯片的发光面积，并且没有增加额外工艺步骤，维持了原有成本，提升了芯片的光电性能。