本发明公开了一种超结MOSFET，本包括半导体衬底、第一导电外延层、阱区、在阱区中形成的源漏区依次邻接而成的半导体基板，以及在半导体基板上的栅氧化层区和源极接触孔，所述第一导电外延层内刻蚀有沟槽，所述沟槽内淀积有多晶硅，在淀积掺杂的多晶硅的过程中，通过调节硅源气体的流量和控制压力来调整多晶硅生长速率，所述多晶硅柱与所述第一导电外延层构成PN柱交替连接设置，在半导体基板内形成超结结构。发明制造工艺难度低，制造成本低廉。