本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤。提供源极及漏极。形成图形绝缘层局部覆盖源极及漏极，并暴露出一部分源极及一部分漏极。形成氧化物半导体层接触源极的该部分及漏极的该部分。提供栅极。提供位于氧化物半导体层与栅极间的一栅介电层。在此亦提供一种薄膜晶体管。