本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，所述方法包括：在基板上依次沉积透明导电层和第一金属层，利用第一多段式调整光罩对透明导电层和第一金属层进行图案化形成栅极和共通电极，栅极包括透明导电层和第一金属层，共通电极由所述透明导电层形成；在基板上继续沉积栅绝缘层、半导体层和第二金属层，利用第二多段式调整光罩对半导体层和第二金属层进行图案化，在对应共通电极的栅绝缘层上由半导体层和第二金属层形成像素电极，同时保留位于栅极上方的半导体层，并在保留的半导体层上由第二金属层形成源极和漏极。本发明简化了工艺制程，降低了薄膜晶体管阵列基板的制作成本。