公开了静态随机存取存储器（SRAM）单元和SRAM单元阵列。在一个实施例中，SRAM单元包括上拉晶体管。上拉晶体管包括鳍式场效应晶体管（FinFET），其具有半导体材料的鳍。有源区域设置在鳍内。接触件设置在上拉晶体管的有源区域的上方。接触件是在第一方向上设置的槽式接触件。在第二方向上设置上拉晶体管的有源区域。第二方向不与第一方向垂直。