本发明公开了一种集成电路器件和形成该集成电路器件的方法。所公开的方法提供了用于在半导体器件中形成改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的工艺。具有改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的半导体器件可以防止或者降低缺陷，并且获得较好的应变效果。在至少一个实施例中，轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件包含通过外延生长形成的相同的半导体材料。