一种像素结构，包括半导体图案、第一绝缘层、第一导体层、第二绝缘层、第二导体层、第三绝缘层及像素电极。半导体图案包括第一接触区、第二接触区及通道区。第一导体层包括闸极及扫描线。第一绝缘层的第一上部接触开口与第二绝缘层的第一下部接触开口构成第一接触开口。第一接触开口暴露半导体图案以定义出第一接触区。第二导体层包括接触于第一接触区的资料线。资料线的第一侧壁位于第一接触开口的面积之内。像素电极电性连接第二接触区。本发明资料线的线宽可设计的较小，进而达到提升像素结构开口率的目的。