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一种压接式IGBT模块的制作方法及压接式IGBT模块
编号:S000019809 刷新日期: 有效日期至:2020-11-08 浏览:2323 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 湖南 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种压接式IGBT模块的制作方法及压接式IGBT模块,该方法的步骤为:①将底部钼片放置在一烧结基座中,将辅助夹具和多个功率半导体芯片放置于底部钼片上;②通过烧结将功率半导体芯片固定在底部钼片上,再将辅助夹具及烧结基座取掉;③安装PCB;④利用PCB作为上部钼片的定位工具将多个上部钼片固定;⑤进行管壳的压接。该模块包括底部钼片、功率半导体芯片、PCB和上部钼片,底部钼片为功率半导体芯片提供电流和散热通路,功率半导体芯片通过烧结固定于底部钼片上,PCB位于功率半导体芯片的上方并通过定位与底部钼片连接,上部钼片通过PCB定位固定。本发明具有整体结构更加简单紧凑、制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好等优点。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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