本发明公开了一种CMOS电路结构、其制备方法及显示装置，在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS TFT结构，即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层，NMOS区域为Oxide TFT结构，即使用氧化物材料制备NMOS半导体层，在NMOS区域使用氧化物材料代替现有的多晶硅材料制备NMOS半导体层，能够省去采用TLPS工艺时对NMOS区域的三次掺杂工艺，可以简化CMOS电路结构的制作流程，降低生产成本。并且，由于采用氧化物材料制作NMOS区域的NMOS半导体层，仅需要对PMOS区域的PMOS半导体层进行结晶化，也能延长激光管的使用寿命，降低生产成本。