本发明公开了一种具有金属栅极的半导体器件。器件包括：半导体衬底，位于半导体衬底上方的源极部件和漏极部件，以及位于半导体衬底上方并且设置在源极部件和漏极部件之间的栅叠层。栅叠层包括：界面层(IL)，形成在半导体衬底上方的高k(HK)介电层，形成在HK介电层顶部的除氧金属，通过使用低温除氧技术形成的改变的等效氧化层厚度(EOT)以及沉积在除氧金属层上方的金属栅叠层。本发明还提供了一种具有低温除氧的金属栅极器件。