半导体光检测元件（10）包含：多个雪崩光电二极管（APD），其以盖革模式动作并且形成在半导体基板（1N）内；灭弧电阻（R1），其相对于各个雪崩光电二极管（APD）串联连接并且配置在半导体基板（1N）的主面（1Na）侧；以及多个贯通电极（TE），其与灭弧电阻（R1）电连接且从主面（1Na）侧至主面（1Nb）侧为止贯通半导体基板（1N）而形成。搭载基板（20）包含对应于每个贯通电极（TE）而配置在主面（20a）侧的多个电极（E9）。贯通电极（TE）与电极（E9）经由凸点电极（BE）而电连接，且半导体基板（1N）的侧面（1Nc）与玻璃基板（30）的侧面（30c）成为同一平面。