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薄膜晶体管制备方法和阵列基板制备方法
编号:S000019779 刷新日期: 有效日期至:2020-10-26 浏览:2084 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法和显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的低温多晶硅薄膜晶体管结构复杂且制作步骤繁琐的问题。本发明的低温多晶硅薄膜晶体管,包括:设置在基底上的有源层,与有源层连接的源极和漏极,所述有源层包括源极接触区、漏极接触区,以及设于源极接触区和漏极接触区之间的半导体区,所述源极接触区和所述漏极接触区均能够导电,且所述源极接触区和所述漏极接触区均包括半导体基体和分布在所述半导体基体内的离子,所述源极直接覆盖所述源极接触区,所述漏极直接覆盖漏极接触区。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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