本申请公开了一种鳍式场效应管FinFET基体的形成方法，该方法包括：提供一半导体衬底，对半导体衬底进行图案化刻蚀，形成具有翅片结构且截面为矩形的硅基体；所述翅片结构，包括其中间延伸有沟道区域的源极区域和漏极区域；对所述硅基体进行锗离子注入，形成硅化锗基体；氧化硅化锗基体的外部表面至预定厚度，形成氧化层；湿法去除部分氧化层至显露出基体底部；横向刻蚀基体底部区域至预定宽度后去除剩余部分氧化层，形成具有“Ω”形截面的基体。本申请还公开了一种鳍式场效应管。采用本发明能够提高器件驱动电流。