本发明涉及一种超结高压功率器件结构。功率半导体器件会受到结曲率效应的影响而导致电场在结附近聚集，使器件极易发生击穿，需要改善器件的耐压程度。本发明包括有源区和终端区，终端区在衬底层上设置第一导电类型材料的外延层，在外延层上形成复合缓冲层，复合缓冲层中含有交替排列的第一种导电类型材料构成的第一半导体区和第二种导电类型材料构成的第二半导体区；第二导电类型的阱区位于第二半导体区的表面，处于两个第一半导体区之间或最后一个第一半导体区与截止环之间。本发明可以提高超结器件终端的耐压和可靠性，能使终端承受与元胞区相近的耐压，并且这种结构可以用传统的超结半导体制造工艺实现，不会增加工艺的难度及生产成本。