本发明公开了顶栅氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述顶栅氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，所述源极和漏极分别与氧化物半导体层接触，所述氧化物半导体层采用氧化铟、氧化镓、氧化锌或氧化锡、或者铟、镓、锌、锡的二元或多元氧化物，采用变化的磁场对源极、漏极和氧化物半导体层进行辐射。本发明的顶栅氧化物薄膜晶体管的场效应迁移率较高，而且其输出特性在低漏极电压时，也不会出现电流拥挤现象。