本发明公开了一种光控局部电沉积二氧化硅薄膜的制备方法。它是将半导体材料或者表面覆盖有半导体的基体浸入已经预水解一定时间的二氧化硅前躯体溶液中，通过调节光源照射到基体表面的光斑尺寸，从而在此光斑区域内光激发半导体，促进半导体的电子和空穴对分离。同时对基体施加一定的阴极辅助电位，利用外电路注入的电子和光激发产生的电子同时还原硅烷前驱体溶液中的活性物质，生成具有催化作用的氢氧根离子，促进二氧化硅在基体表面光照区域内成膜。二氧化硅薄膜可用于微电子、光学、无机驻极体、材料强度改性、催化等领域。本发明采用光控局部电沉积制备二氧化硅的方法，简便地实现了对基体表面二氧化硅薄膜形状和尺寸的调控。