一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层的掺杂浓度。上述快恢复二极管可在反向恢复时能够提供足够的载流子浓度，从而得以维持电流下降的软度。本发明还提供了一种快恢复二极管的制作方法。