本发明涉及用后期鳍片蚀刻形成于图案化STI区上的鳍式管。在形成精密半导体装置时，通过在早期制造阶段(亦即，在形成浅沟槽隔离时)形成半导体鳍片，可基于取代栅极法及自对准接触组件来形成与平面型晶体管结合的三维晶体管，其中在装设自对准接触组件后以及在取代栅极法期间，可调整该半导体鳍片的最终电性有效高度。