一种器件包括半导体衬底，和从该半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底内的器件隔离(DI)区。栅极电介质设置在半导体衬底的有源区上方，其中栅极电介质在DI区上方延伸。栅电极设置在栅极电介质上方，其中该栅电极的凹口与该DI区的一部分重叠。本发明提供带有凹口的栅电极及其形成方法。