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> 技术详情
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
编号:S000019652
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-06
浏览:
2431
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置,用以提高薄膜晶体管TFT的性能,提高图像的画质。本发明提供的薄膜晶体管包括:基板、形成在所述基板上的栅极、源极、漏极和半导体层;位于所述栅极和半导体层之间或者位于所述栅极和源极、漏极之间的栅极绝缘层,和位于半导体层与源极、漏极之间具有源极接触孔和漏极接触孔的刻蚀阻挡层;以及位于所述源极和半导体层之间的源极缓冲层,位于所述漏极和半导体层之间的漏极缓冲层;其中,所述源极和漏极为金属铜电极,所述缓冲层为铜合金。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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