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一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
编号:S000019652 刷新日期: 有效日期至:2020-12-06 浏览:2431 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置,用以提高薄膜晶体管TFT的性能,提高图像的画质。本发明提供的薄膜晶体管包括:基板、形成在所述基板上的栅极、源极、漏极和半导体层;位于所述栅极和半导体层之间或者位于所述栅极和源极、漏极之间的栅极绝缘层,和位于半导体层与源极、漏极之间具有源极接触孔和漏极接触孔的刻蚀阻挡层;以及位于所述源极和半导体层之间的源极缓冲层,位于所述漏极和半导体层之间的漏极缓冲层;其中,所述源极和漏极为金属铜电极,所述缓冲层为铜合金。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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