本发明涉及一种阵列基板的制造方法。该方法包括形成半导体有源层图案的步骤，所述半导体有源层图案通过酸气腐蚀的刻蚀方法形成。本发明的阵列基板的制造方法中，通过容器中的酸溶液挥发出酸蒸汽，对于IGZO氧化物半导体层进行蚀刻，可以确保蚀刻图案的均一性。