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通过相同结构的光接收二极管识别紫外线发光二极管的发射辐射
编号:S000022019 刷新日期: 有效日期至:2020-11-25 浏览:2434 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
通过相同结构的光接收二极管识别紫外线发光二极管的发射辐射。所述装置包含设置在风化室(1)中的发光二极管(UV-LED)(2)以及紫外线光接收二极管(4),它具有与紫外线发光二极管(2)相同的材料基础,并相对于紫外线发光二极管(2)这样设置,即使在装置运行过程中紫外线发光二极管(2)发射的部分辐射到达紫外线光接收二极管(4)上。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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