一种薄膜晶体管，适于配置在基板上，且此薄膜晶体管包括闸极、有机闸绝缘层、金属氧化物半导体层、源极与汲极。闸极配置于基板上。有机闸绝缘层配置于基板上以覆盖闸极。源极、汲极与金属氧化物半导体层配置于有机闸绝缘层上方，且金属氧化物半导体层接触源极与汲极。由于此薄膜晶体管无须以高温制成，因而具有广泛的应用性。