本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管制作方法，在基板上形成包括：栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、源漏极层的图形，在形成所述氧化物半导体层图形之后，在所述氧化物半导体层的表面形成金属氧化物的刻蚀阻挡层的图形。本发明的薄膜晶体管制作方法在氧化物半导体层上形成金属氧化物作为刻蚀阻挡层层，金属氧化物能够有效地阻挡外界水汽对氧化物薄膜晶体管的影响，而且在制作时也不会对氧化物半导体层产生损害，从而不会影响氧化物薄膜晶体管性能。