本发明公开了一种功率MOSFET，其包括从半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内的半导体区，其中所述半导体区为第一导电类型。栅极介电层和栅电极设置在所述半导体区上方。漂移区为与第一导电类型相反的第二导电类型，并且从所述半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内。介电层具有在所述第一漂移区上方且与第一漂移区接触的一部分。导电场板位于所述介电层上方。源极区和漏极区在所述栅电极的相对侧。所述漏极区与所述第一漂移区接触。底层金属层在所述场板上方。本发明还公开了功率MOSFET的形成方法。