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> 技术详情
一种离子液体中痕量H
2
O的检测方法
编号:S000019600
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-25
浏览:
2383
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明揭示了一种基于场效应晶体管传感器的离子液体痕量H
2
O的检测方法。该传感器利用场效应晶体管的结构,其中有源层为与待检测离子液体不互溶的N型有机半导体材料。将待检测的离子液体滴到该传感器的有源层表面,利用N型半导体材料对水敏感的特性,使得场效应晶体管的电学参数发生变化,从而达到痕量H
2
O的检测的目的。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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