公开了制造具有混合HK/金属栅极堆叠件的半导体器件的方法。该方法包括提供半导体衬底，该半导体衬底具有位于PFET和NFET区域之间的多个隔离部件，和在半导体衬底上形成栅极堆叠件。在PFET区域中，栅极堆叠件形成为HK/金属栅极。在NFET区域中，栅极堆叠件形成为多晶硅栅极。通过利用另一个多晶硅栅极将高电阻器形成在半导体衬底上。