本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型晶体管。本发明所述的绝缘栅双极型晶体管，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合形成IGBT，在第二种导电类型的MISFET的第二种导电类型的半导体材料上表面上形成了第一种导电类型的体区，在体区中形成了第一种由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构，在体区中还形成了第二种导电类型的半导体作为MISFET的源区；在体区中还形成了第一种导电类型的半导体区，在体区中形成了第二种由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构。本发明的有益效果为，具有低导通压降、快关断的优点。本发明尤其适用于绝缘栅双极型晶体管。