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陶瓷构件、半导体制造装置用构件及陶瓷构件的制造方法
编号:S000019544
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-16
浏览:
2416
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明的陶瓷构件30包含有:以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg(Al)O(N)为主相的陶瓷基体32和配置在部分陶瓷基体32上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极34。该陶瓷基体32也可以是使用CuKα射线时的所述Mg(Al)O(N)的(111)面、(200)面、(220)面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9~39°,42.9~44.8°,62.3~65.2°。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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