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陶瓷构件、半导体制造装置用构件及陶瓷构件的制造方法
编号:S000019544 刷新日期: 有效日期至:2020-11-16 浏览:2263 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明的陶瓷构件30包含有:以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg(Al)O(N)为主相的陶瓷基体32和配置在部分陶瓷基体32上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极34。该陶瓷基体32也可以是使用CuKα射线时的所述Mg(Al)O(N)的(111)面、(200)面、(220)面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9~39°,42.9~44.8°,62.3~65.2°。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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