一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供第一半导体衬底，位于所述第一半导体衬底表面的第二半导体衬底，贯穿所述第二半导体衬底的氧化层，所述第一半导体衬底的晶面指数与待形成的鳍式场效应管的类型相对应；形成覆盖所述第二半导体衬底的掩膜层，所述掩膜层具有多个暴露出所述氧化层的第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述氧化层直至暴露出第一半导体衬底；刻蚀所述氧化层后，形成位于所述第一半导体衬底表面的鳍部，所述鳍部具有与所述第一半导体衬底相同的晶面指数。本发明实施例形成的鳍式场效应管的沟道区的载流子迁移率高，鳍式场效应管的性能稳定。