本发明提供一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；位于所述半导体衬底上方的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或源区；形成在所述半导体衬底上的沟道区，其中，所述沟道区的下端部位于所述半导体衬底上，所述半导体柱形成在所述沟道区的下端部上，所述沟道区的上端部环绕所述半导体柱侧壁；和形成在所述沟道区的下端部上、环绕所述沟道区的上端部侧壁的栅结构。根据本发明实施例的隧穿晶体管可以提高TFET器件的集成度，以及改善TFET器件的驱动能力。