一种晶体管和晶体管的形成方法，其中所述晶体管，包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的半导体层；位于半导体层表面的本征外延硅层；位于本征外延硅层表面的栅极结构；位于栅极结构两侧本征外延硅层、半导体层和半导体衬底内的源/漏区。半导体层用于束缚半导体衬底内扩散的杂质离子，栅极结构底部的本征半导体层作为晶体管的沟道，由于杂质离子不会扩散到本征半导体层中，占据载流子传输的通道，从而提高载流子的迁移率。