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> 技术详情
非易失性半导体存储装置及其读出方法
编号:S000019511
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-02
浏览:
2309
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供一种交叉点型非易失性存储装置,能够抑制由于潜行电流而引起的存储单元中包含的存储元件的电阻值的检测灵敏度低下。交叉点型非易失性存储装置具有:多个位线,与多个字线垂直;由存储单元构成的交叉点单元阵列(1),根据在其立体交差点配置的电信号以可逆的方式在2个以上的状态下使电阻值变化;偏移检测单元阵列(2E),构成为包括偏移检测单元,该偏移检测单元的字线共通,具有比存储单元的高电阻状态下的电阻值高的电阻值;读出电路(读出放大器(7)等),利用在交叉点单元阵列(1)的选择位线中流过的电流判别选择存储单元的电阻状态;以及电流源(6),在读出动作的期间内,对偏移检测单元阵列供给电流。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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