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光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法
编号:S000019502 刷新日期: 有效日期至:2020-12-02 浏览:2464 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明揭示了一种光刻胶的处理方法,包括:提供基底,所述基底上具有图形化的光刻胶;在所述光刻胶上旋涂微缩辅助膜,以在所述光刻胶的表面形成保护膜;采用紫外光固化工艺处理所述保护膜。本发明的光刻胶的处理方法,能够在保证线宽的前提下,有效地提高所述光刻胶的表面致密度,避免或减少缺陷的产生。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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